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Mn-Mg共掺杂对钛酸锶钡薄膜介电性能的影响

周歧刚 , 翟继卫 , 姚熹

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2007.00519

用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO 2/Si衬底上制备了系列Mn-Mg共掺杂的钛酸锶钡(Ba 0.25 Sr 0.75 TiO 3)薄膜. X射线衍射以及场发射扫描电镜分析表明: 薄膜为钙钛矿结构且无杂相生成, 薄膜表面晶粒均匀、无裂纹. 测试了不同浓度掺杂薄膜的介电性能, 掺杂浓度为1mol% 时, 薄膜的介电常数、损耗、可调性和漏电流密度分别为200、0.010、38%、1×10-5 A/cm 2. 性能改善后的薄膜材料可以用来制作微波可调器件.

关键词: BST薄膜 , Mn-Mg co-doping , sol-gel , dielectric property

工艺因素对磁控溅射法制备钛酸锶钡薄膜性能的影响

张玉芹 , 邓小玲 , 刘行冰 , 符春林 , 成计平

硅酸盐通报

磁控溅射技术在薄膜制备领域有着广泛的应用.本文在介绍磁控溅射法制备薄膜材料的基本原理和流程基础之上,详细分析了溅射工艺参数(溅射功率、温度、溅射气压、氧分压)对BST薄膜性能的影响,并提出了研究中需要解决的一些问题.

关键词: 磁控溅射 , BST薄膜 , 工艺参数 , 性能

Y3+掺杂BST/ZrO2复合薄膜的制备及介电性能研究

姜楠 , 刘军 , 洪玮 , 张娟 , 吴伟骏 , 林鹏飞 , 骆英

人工晶体学报

运用溶胶-凝胶法在Si/SiO2/Ti/Pt基底上制备了掺杂不同量的Y3+的单层Ba0.65Sr0.35TiO3 (BST)薄膜和并联结构的BST/ZrO2复合薄膜.研究发现:当BST溶胶中掺入了适量的Y3+后,制备的单层BST的表面形貌得到改善,介电性能提高;掺杂的Y3+为1mol%时单层BST薄膜介电性能最佳,介电常数为400.53;介电损耗为0.0125.BST/ZrO2复合薄膜的电容值相对于单层BST薄膜得到明显提高,当烧结温度为750℃时,BST/ZrO2复合薄膜综合介电性能最佳,介电常数790.12;介电损耗达到0.051.

关键词: 溶胶-凝胶法 , BST薄膜 , BST/ZrO2复合薄膜 , 介电性能

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